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Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
44
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
38
44
读取速度,GB/s
12.6
14.2
写入速度,GB/s
8.8
9.1
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2174
2423
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB RAM的比较
Kingston KN2M64-ETB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Transcend Information JM1333KLN-4G 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
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