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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
42
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
42
38
读取速度,GB/s
9.7
12.6
写入速度,GB/s
6.0
8.8
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2174
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
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