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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9905743-034.A00G 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.4
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
16.1
15.9
写入速度,GB/s
10.1
11.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3026
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB RAM的比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C9 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
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