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Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
总分
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
6.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
41
左右 -11% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
37
读取速度,GB/s
14.2
12.0
写入速度,GB/s
8.9
6.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2412
1878
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
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