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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
比较
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
总分
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
总分
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
63
左右 -85% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
1,583.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
34
读取速度,GB/s
3,895.6
18.1
写入速度,GB/s
1,583.7
14.8
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
639
3505
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
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