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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
69
左右 -146% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
28
读取速度,GB/s
3,325.1
18.0
写入速度,GB/s
1,441.2
14.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3490
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
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