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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
47
Intorno -57% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.1
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.1
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
30
Velocità di lettura, GB/s
9.3
11.1
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
1254
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
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