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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
74
Intorno 36% latenza inferiore
Motivi da considerare
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
74
Velocità di lettura, GB/s
9.3
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
1679
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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