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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
47
Intorno -81% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
26
Velocità di lettura, GB/s
9.3
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
2313
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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