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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
47
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
24
Velocità di lettura, GB/s
9.3
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
3079
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Elpida EBJ20UF8BCF0-DJ-F 2GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
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