RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
47
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
31
Velocità di lettura, GB/s
9.3
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
2848
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link