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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
47
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
25
Velocità di lettura, GB/s
9.3
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
2910
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
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Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
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