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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
47
Intorno -62% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.0
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
29
Velocità di lettura, GB/s
9.3
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
18.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
3872
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
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