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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Kingston KY7N41-MIE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
47
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
33
Velocità di lettura, GB/s
9.3
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
2948
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
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Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
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