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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
47
Intorno -34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
35
Velocità di lettura, GB/s
9.3
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
3221
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
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