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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
48
Intorno 2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
8.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
47
48
Velocità di lettura, GB/s
9.3
8.9
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
5.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
1420
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M392B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
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