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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
47
Intorno -2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
46
Velocità di lettura, GB/s
9.3
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
3045
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
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