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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
47
Intorno -104% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
23
Velocità di lettura, GB/s
9.3
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
2637
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
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