RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
41
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
29
Velocità di lettura, GB/s
13.3
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2016
3285
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology C 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link