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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
41
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2016
3285
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
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