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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
41
Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
26
Velocità di lettura, GB/s
13.3
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2016
3055
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
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