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Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NF-CG 4GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HB0NF-CG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NF-CG 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NF-CG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
41
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
12.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NF-CG 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
41
27
Velocità di lettura, GB/s
12.9
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
10600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1958
2237
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NF-CG 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NF-CG 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
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