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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs AMD R334G1339U2S 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
AMD R334G1339U2S 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
4.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
AMD R334G1339U2S 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
40
Intorno -38% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
40
29
Velocità di lettura, GB/s
12.3
9.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
4.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
10600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
1726
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
AMD R334G1339U2S 4GB Confronto tra le RAM
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
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