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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs AMD R334G1339U2S 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
AMD R334G1339U2S 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
4.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
AMD R334G1339U2S 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
40
En -38% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
40
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
9.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
4.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
1726
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
AMD R334G1339U2S 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
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