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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Punteggio complessivo
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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.3 left arrow 11.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.9 left arrow 6.1
    Valore medio nei test
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Motivi da considerare
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    30 left arrow 40
    Intorno -33% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 12800
    Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    40 left arrow 30
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.3 left arrow 11.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.9 left arrow 6.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1789 left arrow 1254

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Confronto tra le RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Memoria RAM
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Memoria RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Memoria RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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Memoria RAM
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
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Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
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Memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Memoria RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
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Memoria RAM
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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