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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
94
Intorno -147% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
38
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
3030
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
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