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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Razões a considerar
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
94
Por volta de -147% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
38
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
10.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
3030
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
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Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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