RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
94
En -147% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
38
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
3030
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link