RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
40
Intorno -60% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
25
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
2789
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Mushkin 994083 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link