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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
40
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
25
读取速度,GB/s
12.3
14.3
写入速度,GB/s
8.9
11.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2789
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
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