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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
48
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
30
读取速度,GB/s
8.9
17.3
写入速度,GB/s
5.9
12.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2190
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
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