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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
101
左右 52% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.0
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
101
读取速度,GB/s
8.9
14.5
写入速度,GB/s
5.9
6.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
1369
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
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