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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
6.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
40
Intorno -48% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
27
Velocità di lettura, GB/s
12.3
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
1901
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
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