RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
6.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
40
En -48% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
6.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
1901
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link