RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
40
Intorno -135% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.1
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.0
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
17
Velocità di lettura, GB/s
12.3
22.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
18.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
3847
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link