RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
40
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.0
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
17
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
22.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
18.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3847
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link