RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston K821PJ-MID 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston K821PJ-MID 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
41
Intorno 2% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston K821PJ-MID 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
41
Velocità di lettura, GB/s
12.3
12.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
2338
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link