RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston K821PJ-MID 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston K821PJ-MID 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
41
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston K821PJ-MID 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
41
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2338
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link