RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
40
Intorno -43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
28
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
2892
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link