RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
40
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
33
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
2828
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston TSB1333D3S9SR8U/2G 2GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link