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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
40
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
33
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
2828
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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