Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Puntuación global
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    33 left arrow 40
    En -21% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.8 left arrow 12.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    10.4 left arrow 8.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    40 left arrow 33
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 14.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.9 left arrow 10.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1789 left arrow 2828
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones