Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Puntuación global
star star star star star
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    25 left arrow 28
    En 11% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.3 left arrow 13.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.8 left arrow 9.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    25 left arrow 28
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.3 left arrow 13.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.8 left arrow 9.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2646 left arrow 1989
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones