Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 28
    Около 11% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.3 left arrow 13.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.8 left arrow 9.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    25 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.3 left arrow 13.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.8 left arrow 9.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2646 left arrow 1989
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения