RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
1989
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link