RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Confronto
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Punteggio complessivo
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno 11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
9.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
28
Velocità di lettura, GB/s
15.3
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.8
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2646
1989
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Confronto tra le RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link