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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
8500
Intorno 3.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
30
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
25600
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3155
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
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G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
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