RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
32
Intorno 6% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
32
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2949
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link