RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
32
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
6.8
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2949
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link