RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Сравнить
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB против Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
46
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
12.4
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.4
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2660
3177
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Mushkin 991586 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link