RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около 38% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3177
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link